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FORESEE SPI NAND Flash——采用16nm超低制程,更小型更稳定

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发表于 9-25 16:26:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
  我们正在不知不觉间进入一个万物互联的时代,电子产品正朝着便携化、小型化发展,存储设备行业面临巨大的考验。在如此背景下,江波龙开始了小型存储设备的研发,经过不懈努力,FORESEE SPI NAND Flash已成功面世。

  市面上的NAND Flash的常规制程多为2X~3Xnm,江波龙为了进一步缩小产品的体积,更好的适应小型电子设备的需求,特意采用16nm制程,同时 采 取WSON 封装模式,尺寸缩小了80%,大大节省PCB板空间。

  

  FORESEE SPI NAND Flash带有内部ECC单元,降低了对Host端硬件纠错能力的要求,同时 采用通用SPI接口,使其具有良好的适配性,无需硬件测试,只要适配即可使用。另外,产品根据容量大小还分为1Gbit、2Gbit、4Gbit三种不同容量,可适应电子终端不同的存储需求。

  此外,FORESEE SPI NAND Flash作为工业级SLC,数据可保持10年,擦写寿命可以达到10万次,在保证传输效率的同时也保证了存储数据的稳定可靠性。而且FORESEE SPI NAND Flash工作电压仅3.3V,非常适合可穿戴设备,以及各种移动设备的使用。

  如今,如今江波龙微存储产品已广泛应用于工业应用(视频监控、无人机、广告机、POS机等)、网通设备(WiFi路由器、MiFi、无线模块、CPE等)、消费类电子(电视机顶盒、智能音箱、扫地机器人、儿童手表、故事机、游戏手柄等)等市场。未来还将全面服务于蓬勃发展的物联IoT、5G模块、汽车电子和智慧家居等新兴领域。科技创造未来,未来的江波龙,还会为我们带来怎样的惊喜,我们拭目以待吧!

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